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双<b>开关</b>

  • 电工电子技术在声光双控开关设计中的应用

    随着人们生活现代化水平不断提高,电力的供需矛盾日益加剧,为珍惜并节约每一度电,声光双控开关的设计达到了节约电能的要求。通过声光双控开关的设计,使学生熟练应用电工电子技术,进一步掌握了各元器件的工作原理及功能。声光双控开关的设计安全节电,使用寿命长且成本低,在很多住宅楼道都安装了自动控制楼道灯,在日常生活中具有很大的实用性。

    标签: 电工电子技术 声光双控 中的应用 开关

    上传时间: 2013-11-08

    上传用户:life840315

  • ~{JGR 8vQ IzWwR5SC5D2V?bD#DbO5M3~} ~{3v?b~} ~{Hk?b~} ~{2iQ/5H9&D~} ~{?IRTWw@)3d~} ~{TZ~}JDK1.4.2~{OB

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    标签: IzWwR IRTWw JGR 8vQ

    上传时间: 2015-02-22

    上传用户:ommshaggar

  • b to b 模式 电子商务系统

    b to b 模式 电子商务系统 ,c# 开发 , B/S结构

    标签: to 模式 电子商务系统

    上传时间: 2014-01-20

    上传用户:hanli8870

  • 消除抖动的双稳定开关

    消除抖动的双稳定开关,在跑表和电子钟的设计中较常见。

    标签: 抖动 开关

    上传时间: 2014-01-18

    上传用户:qoovoop

  • 樣板 B 樹 ( B - tree ) 規則 : (1) 每個節點內元素個數在 [MIN,2*MIN] 之間, 但根節點元素個數為 [1,2*MIN] (2) 節點內元素由小排到大, 元素不

    樣板 B 樹 ( B - tree ) 規則 : (1) 每個節點內元素個數在 [MIN,2*MIN] 之間, 但根節點元素個數為 [1,2*MIN] (2) 節點內元素由小排到大, 元素不重複 (3) 每個節點內的指標個數為元素個數加一 (4) 第 i 個指標所指向的子節點內的所有元素值皆小於父節點的第 i 個元素 (5) B 樹內的所有末端節點深度一樣

    标签: MIN 元素 tree

    上传时间: 2017-05-14

    上传用户:日光微澜

  • 欧几里德算法:辗转求余  原理: gcd(a,b)=gcd(b,a mod b)  当b为0时,两数的最大公约数即为a  getchar()会接受前一个scanf的回车符

    欧几里德算法:辗转求余  原理: gcd(a,b)=gcd(b,a mod b)  当b为0时,两数的最大公约数即为a  getchar()会接受前一个scanf的回车符

    标签: gcd getchar scanf mod

    上传时间: 2014-01-10

    上传用户:2467478207

  • 数据结构课程设计 数据结构B+树 B+ tree Library

    数据结构课程设计 数据结构B+树 B+ tree Library

    标签: Library tree 数据结构

    上传时间: 2013-12-31

    上传用户:semi1981

  • TLC2543 中文资料

    TLC2543是TI公司的12位串行模数转换器,使用开关电容逐次逼近技术完成A/D转换过程。由于是串行输入结构,能够节省51系列单片机I/O资源;且价格适中,分辨率较高,因此在仪器仪表中有较为广泛的应用。 TLC2543的特点 (1)12位分辩率A/D转换器; (2)在工作温度范围内10μs转换时间; (3)11个模拟输入通道; (4)3路内置自测试方式; (5)采样率为66kbps; (6)线性误差±1LSBmax; (7)有转换结束输出EOC; (8)具有单、双极性输出; (9)可编程的MSB或LSB前导; (10)可编程输出数据长度。 TLC2543的引脚排列及说明    TLC2543有两种封装形式:DB、DW或N封装以及FN封装,这两种封装的引脚排列如图1,引脚说明见表1 TLC2543电路图和程序欣赏 #include<reg52.h> #include<intrins.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int sbit clock=P1^0; sbit d_in=P1^1; sbit d_out=P1^2; sbit _cs=P1^3; uchar a1,b1,c1,d1; float sum,sum1; double  sum_final1; double  sum_final; uchar duan[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f}; uchar wei[]={0xf7,0xfb,0xfd,0xfe};  void delay(unsigned char b)   //50us {           unsigned char a;           for(;b>0;b--)                     for(a=22;a>0;a--); }  void display(uchar a,uchar b,uchar c,uchar d) {    P0=duan[a]|0x80;    P2=wei[0];    delay(5);    P2=0xff;    P0=duan[b];    P2=wei[1];    delay(5);   P2=0xff;   P0=duan[c];   P2=wei[2];   delay(5);   P2=0xff;   P0=duan[d];   P2=wei[3];   delay(5);   P2=0xff;   } uint read(uchar port) {   uchar  i,al=0,ah=0;   unsigned long ad;   clock=0;   _cs=0;   port<<=4;   for(i=0;i<4;i++)  {    d_in=port&0x80;    clock=1;    clock=0;    port<<=1;  }   d_in=0;   for(i=0;i<8;i++)  {    clock=1;    clock=0;  }   _cs=1;   delay(5);   _cs=0;   for(i=0;i<4;i++)  {    clock=1;    ah<<=1;    if(d_out)ah|=0x01;    clock=0; }   for(i=0;i<8;i++)  {    clock=1;    al<<=1;    if(d_out) al|=0x01;    clock=0;  }   _cs=1;   ad=(uint)ah;   ad<<=8;   ad|=al;   return(ad); }  void main()  {   uchar j;   sum=0;sum1=0;   sum_final=0;   sum_final1=0;    while(1)  {              for(j=0;j<128;j++)          {             sum1+=read(1);             display(a1,b1,c1,d1);           }            sum=sum1/128;            sum1=0;            sum_final1=(sum/4095)*5;            sum_final=sum_final1*1000;            a1=(int)sum_final/1000;            b1=(int)sum_final%1000/100;            c1=(int)sum_final%1000%100/10;            d1=(int)sum_final%10;            display(a1,b1,c1,d1);           }         } 

    标签: 2543 TLC

    上传时间: 2013-11-19

    上传用户:shen1230

  • 同地弹现象的分析和讲解

    地弹的形成:芯片内部的地和芯片外的PCB地平面之间不可避免的会有一个小电感。这个小电感正是地弹产生的根源,同时,地弹又是与芯片的负载情况密切相关的。下面结合图介绍一下地弹现象的形成。 简单的构造如上图的一个小“场景”,芯片A为输出芯片,芯片B为接收芯片,输出端和输入端很近。输出芯片内部的CMOS等输入单元简单的等效为一个单刀双掷开关,RH和RL分别为高电平输出阻抗和低电平输出阻抗,均设为20欧。GNDA为芯片A内部的地。GNDPCB为芯片外PCB地平面。由于芯片内部的地要通过芯片内的引线和管脚才能接到GNDPCB,所以就会引入一个小电感LG,假设这个值为1nH。CR为接收端管脚电容,这个值取6pF。这个信号的频率取200MHz。虽然这个LG和CR都是很小的值,不过,通过后面的计算我们可以看到它们对信号的影响。先假设A芯片只有一个输出脚,现在Q输出高电平,接收端的CR上积累电荷。当Q输出变为低电平的时候。CR、RL、LG形成一个放电回路。自谐振周期约为490ps,频率为2GHz,Q值约为0.0065。使用EWB建一个仿真电路。(很老的一个软件,很多人已经不懈于使用了。不过我个人比较依赖它,关键是建模,模型参数建立正确的话仿真结果还是很可靠的,这个小软件帮我发现和解决过很多实际模拟电路中遇到的问题。这个软件比较小,有比较长的历史,也比较成熟,很容易上手。建议电子初入门的同学还是熟悉一下。)因为只关注下降沿,所以简单的构建下面一个电路。起初输出高电平,10纳秒后输出低电平。为方便起见,高电平输出设为3.3V,低电平是0V。(实际200M以上芯片IO电压会比较低,多采用1.5-2.5V。)

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    上传时间: 2013-10-17

    上传用户:zhishenglu

  • * 高斯列主元素消去法求解矩阵方程AX=B,其中A是N*N的矩阵,B是N*M矩阵 * 输入: n----方阵A的行数 * a----矩阵A * m----矩阵B的列数 * b----矩

    * 高斯列主元素消去法求解矩阵方程AX=B,其中A是N*N的矩阵,B是N*M矩阵 * 输入: n----方阵A的行数 * a----矩阵A * m----矩阵B的列数 * b----矩阵B * 输出: det----矩阵A的行列式值 * a----A消元后的上三角矩阵 * b----矩阵方程的解X

    标签: 矩阵 AX 高斯 元素

    上传时间: 2015-07-26

    上传用户:xauthu